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摩尔定律的进步以及电子技术的不断发展和蓬勃发展的发展为综合电路（IC）行业提供了巨大的动力和挑战。[1]最先进的技术已将场效应晶体管（FET）的有效尺寸降低至低于10 nm，甚至均低于5 nm。同时，抑制短通道效应（SCE）并导致州外泄漏电流的增加已成为传统平面转换器的主要技术挑战。[2]创新的设备结构已开发出解决这些问题，包括FinFET，[3,4]全方位的FET（GAAFET），[5–7]多桥通道FET（MBC-FET）和互补的FET（C-FET）。[8-10]通道的增强栅极控制能力导致SCES和电流泄漏减少。finfet已成功地应用于低于10 nm的节点，同时面临由于扩展缩小的高度宽度比的技术挑战。[11]基于GAIFET的MBC-FET结构已成为下一代Sub-5 nm节点的有前途的候选人，C-FET将成为Sub-2 NM节点的强大替代品。但是，现有的基于SI的MBC和C-FET面临着诸如非均匀纳米片几何形状和驱动式折衷的挑战。[8]整合P-和N型FET的复杂处理也使整体集成非常困难，成为单个SI底物。[9,10]
mbc -fet和c- ...
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