机构名称：
¥ 1.0
近年来，高精度感测和高质量的交流对综合电路的运行频率施加了巨大的要求，从W波段到G频段到G频段甚至Terahertz，这一频率增加了。[1，2]采用了多种技术来扩展摩尔法律并证明设备的频率特征，例如新型结构[3，4]和制造技术。[5]基于INP的高电子迁移式晶体管（HEMTS）具有降级的高载体板密度，峰值漂移速度和低轨道迁移率，并且记录的频率特性已超过1 THz。[6]因此，它们被认为是即将到来的THZ卫星通信和深空检测系统的功率放大器（PAS）和低噪声放大器（LNA）的有前途的候选者。[7 - 10]
一项关于复合通道INP高电子的辐射可靠性的比较研究
主要关键词
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