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内存是当今用于数据存储和处理的电子系统中的关键组件。在传统的合并体系结构中,由于记忆的运行速度和容量差距,逻辑和内存单元是物理上分开的,这涉及von Neumann计算机的基本限制。此外,随着CMOS技术节点的演变,晶体管的演变越来越小,以提高操作速度,面积密度和能源效率,同时提供较低的驱动器电流。,诸如嵌入式闪光和SRAM之类的主流技术正面临着大量的缩放和功率构成问题。一个更密集,更节能的嵌入式内存将是高度期望的,特别是针对14 nm或以上的先进技术节点。与传统的电子功能相反,在非磁性半导体中操纵电荷来处理信息,SpinTronic设备基于电子的旋转,提供创新的计算解决方案。要将旋转三位型纳入现有的成熟半导体技术中,基于旋转的功能通常由磁性隧道连接的核心结构设计,该结构起着磁随机记忆(MRAM)的作用。

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