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碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET 的优势使得该技术在太空、航空电子和高能加速器应用方面具有吸引力。然而，当前的商业技术仍然容易受到单粒子效应 (SEE) 和辐射环境引起的潜在损伤的影响。在暴露于重离子的商用 SiC 功率 MOSFET 中，实验观察到两种类型的潜在损伤。一种是在略低于退化开始的偏置电压下观察到的，它涉及栅极氧化物。另一种损伤类型是在低于单粒子烧毁 (SEB) 极限的偏置电压下观察到的，它归因于 SiC 晶格的改变。聚焦离子束 (FIB) 和扫描电子显微镜 (SEM) 用于研究损伤部位。最后，总结了重离子在 SiC MOSFET 中引起的不同类型的损伤，这些损伤与离子 LET 和操作偏置有关。
重离子引起的 SiC 功率 MOSFET 中的单粒子效应和潜在损伤
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