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电子隧穿屏障所花的时间问题对于纳米间隙器件[1-6]来说越来越重要，例如纳米天线（其场发射发生在 50 纳米[7]到 8 纳米[8]的阳极-阴极（AK）间隙上（其中阳极-阴极渡越时间[9]在飞秒量级））和阿秒实验[10-12]。在对薄绝缘层隧穿效应进行后续研究中，Hartman[13]和更早的McColl[14]使用入射波包遇到矩形屏障的模型发现，金属-绝缘体-金属（MIM）薄膜的传输时间由大屏障宽度极限下的群延迟τg=¯h/√μ给出，其中μ是费米能级，是真空功函数：对于一般情况，当μ==1eV时，τg=0.65821fs，顺便说一下，它小于但与Büttiker和Landauer[15]的屏障宽度相关的半经典时间τsc=L/√2/m=1相当。对于 L = 1 nm，约为 6860 fs，但 Winful [16,17] 证明，τ g 是停留时间 τ d 和自干扰时间 τ i 之和，性质截然不同。我们使用时间相关维格纳分布函数 (WDF) 方法 [18] 研究了波包与屏障的相互作用，结果表明，矩形屏障（以及具有类似突变行为的其他屏障）具有一些特性，使得它们用于波包模拟存在问题，即使平面波和指数增长/衰减的 so-
重新评估场发射的哈特曼效应
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