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摘要-测量并建模了 SO1 nMOSFET 中的自热现象。在静态工作条件下，SO1 器件的温升超过 100 K。测量的温升与分析模型的预测非常吻合，并且是硅厚度、埋层氧化物厚度和通道金属接触分离的函数。在动态电路条件下，通道温度远低于根据静态功率耗散预测的温度。这项工作为从静态器件特性数据（温度变化很大）中提取动态操作（在恒定温度下）的器件建模参数奠定了基础。自热不会大大降低 SO1 电路的电迁移可靠性，但可能会影响 SO1 器件的设计，例如，对于特定应用和缩放几何形状，需要更薄的埋层氧化物层。
SO1 NMOSFET 自热的测量和建模
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