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在通常称为升华生长的物理气相传输 (PVT) 中,保持在特定温度下的源材料会升华,其蒸气通过扩散和对流传输到保持在较低温度下的籽晶,在那里可以结晶。碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN)、氮化铝 (AlN)、氧化锌 (ZnO) 和其他材料作为下一代功率器件引起了人们的关注。这些单晶制造工艺涉及高温和恶劣环境,使用氨和氯化氢等腐蚀性气体。
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