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摘要：掺杂铜的BI 2 SE 3（Cu X Bi 2 Se 3）对定制其电子特性并诱导外来电荷相关性具有很大的兴趣，同时保留了独特的Dirac表面状态。但是，Cu X Bi 2 Se 3中的铜掺杂剂显示复杂的电子行为，并且可以作为电子供体或受体起作用，这取决于其浓度和BI 2 SE 3 SE 3晶体晶格中的浓度和原子位点。因此，对掺杂浓度和地点的精确理解和控制既具有基本和实际意义。在此，我们报告了一种基于溶液的单盘合成Cu x Bi 2 Se 3纳米板，具有系统可调的Cu掺杂浓度和掺杂位点。我们的研究揭示了从插入部位逐渐演变为Cu浓度增加的替代部位。插头位点的Cu原子充当电子供体，而替代部位的铜原子充当电子受体，从而对所得材料的电子性质产生明显的影响。我们进一步表明，Cu 0.18 Bi 2 Se 3表现出超导行为，这在BI 2 SE 3中不存在，这突出了Cu掺杂在调整外来量子性质中的重要作用。这项研究建立了一种有效的方法，用于精确合成Cu X Bi 2 Se 3具有量身定制的掺杂浓度，掺杂位点和电子特性。关键字：Cu X Bi 2 Se 3，纳米板，两次掺杂，基于溶液的合成，掺杂位点，进行薄膜，超导性
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