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大规模数据存储的爆炸性增长和对超快数据处理的需求需要具有出色性能的创新记忆设备。2D材料及其带有原子尖锐界面的范德华异质结构对内存设备的创新有着巨大的希望。在这里,这项工作呈现出所有由2D材料制成的功能层,可实现超快编程/擦除速度(20 ns),高消光率(最高10 8)和多位存储能力。这些设备还表现出长期的数据保留超过10年,这是由高栅极偶联比(GCR)和功能层之间的原子尖锐接口促进的。此外,这项工作证明了通过协同电气和光学操作在单个设备单元上实现“或”逻辑门的实现。目前的结果为下一代超速,超级寿命,非挥发性存储器设备提供了坚实的基础,并具有扩展制造和灵活的电子应用程序的扩展。

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