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D 集成是先进封装和异构集成中的关键技术——它有助于系统级性能扩展。虽然封装的发展引入了 3D 集成，从封装系统发展到堆叠集成电路 (IC) 和 3D 片上系统，但该行业目前正在见证另一个重要转折点：背面供电网络 (BSPDN)。在传统的扩展方法中，信号和供电共存于晶圆的正面。然而，对电力（尤其是供电）日益增长的需求，越来越限制了实现可扩展解决方案的能力。高效的晶体管扩展对于实现更高的晶体管密度至关重要，这需要按比例扩展供电网络。然而，这遇到了巨大的 IR 压降挑战，导致晶体管性能受损。此外，信号和电源的互连设计变得高度相互依赖，构成了供电布线过程的很大一部分（至少 20%）。此外，随着扩展到下一个节点，功率密度会迅速增加。行业共识是通过实施 BSPDN 来分离信号和电源。这涉及隔离晶圆正面的信号网络，并利用晶圆对晶圆键合来高效地访问晶体管背面以进行电源分配和管理。主要优势包括更宽的电源线和更低的 IR 压降、更均匀的电压分布，以及最重要的，更多的设计空间，从而进一步缩小标准单元高度。BSPDN 消除了在晶圆正面共享信号和电源线之间互连资源的需要。顾名思义，背面供电将电源重新定位到背面
异构芯片集成打造超级芯片
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