在193 nm处的光刻是在光刻中从436到365到248 nm的自然延续,这取决于不断较高的分辨率的要求。预计193 nm的光刻将在使用常规面具和O.带有相位转移掩码的18-JLM分辨率。正在解决此新波长时与光刻相关的主要问题。已显示出高度透明的光学材料在193 nm处可用。此外,激光辐射以足够缓慢的速度损坏它们,预计高质量投影光学元件将在10年的全日制运行中执行。因此,正在构建193 nm的踏扫描系统,其设计为在22 x 35 mm的场上达到0.25-L-LM分辨率。已经证明了193 nm光孔师方案的范围。它们包括半透明的单层固定,正色调表面成像(sily!ation)以及使用基于Ultrathin硅聚合物的负色调双层。在大多数情况下,我们已经证明了Sub-O.25-TTM分辨率,高光敏性,良好的暴露量化纬度和非常低的蚀刻残基。总的来说,已经采取了全面设计的193 nm光刻的成功步骤,并且没有预期的主要障碍。
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