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我们报告了CMOS拆分硅纳米线晶体管中双重量子点的快速电荷状态读数，这是通过与超导能力的混合元素集成形成的大元元素谐振器中与微波光子的大分散相互作用。我们通过利用不对称的拆分门设备的较大的间点闸门杆臂α= 0.72，并通过电感耦合到谐振器增加其阻抗，z r = 560。在色散状态下，双量子点杂交点处的较大耦合强度可产生与谐振器线宽相当的频移，这是最大状态可见性的最佳设置。我们利用该制度来证明对自由度的快速分散读数，SNR在50 ns中为3.3。在谐振方案中，快速电荷的分解速率无法达到强耦合方案，但我们使用混合CMOS系统显示了向自旋光子电路量子电动力学的明确途径。
CMOS双量子点和微波光子之间的大量分散相互作用
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