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随着当今电子产品的广泛应用，单粒子效应 (SEE) 已成为一个重大问题，不仅对于航空航天和军事等关键应用，而且对于汽车行业和医疗器械也是如此，因为可靠性始终是重中之重。这种担忧在包含电磁 (EM) 和电离辐射的环境中尤为明显，这些辐射与物质的相互作用可能会改变存储元件的状态，从而降低系统可靠性。技术规模的缩小增加了带电粒子撞击或由于传导 EM 干扰导致的电源总线波动影响多个单元的可能性；因此，导致多单元翻转 (MCU)。单纠错 - 双纠错 (SEC-DED) 代码是为存储系统提供可靠性的最常用技术之一。但是，SEC-DED 代码的标准实现不再适合提供信息可靠性，因为它们无法令人满意地处理每个编码字的大量位翻转，即 MCU 发生。在此背景下，本文提出了扩展矩阵区域选择代码 (eMRSC)，这是 MRSC 的改进版本，它将之前发布的原始 16 位代码扩展为 32 个数据位的新 MRSC 版本。此外，还提出了一种新的数据矩阵区域方案，以减少生成的冗余位数。将提出的代码与众所周知的代码进行了比较，在所有实验中都表现出色。综合分析表明，提出的代码不仅可靠，而且实施成本低（即面积、编码/解码延迟和功率开销低）。
针对内存阵列中相邻多个单元翻转的 ECC
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