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这项研究旨在合成由Al 2 O 3和Ta 2 O 5制成的多层氧化物薄膜用于介电应用。由两个,四个或八个氧化物层制成的多层薄膜由物理蒸气沉积合成,特别是中频脉冲的直流电流磁子溅射。薄膜由化学计量的Al 2 O 3和Ta 2 O 5层制成,该层具有从扫描电子显微镜(SEM)获得的横截面图像中观察到的特定形态。Al 2 O 3层具有柱状结构,而TA 2 O 5层均匀致密。X射线衍射(XRD)特征表明,由于磁控溅射过程中使用的实验条件,尤其是底物的低温,这些氧化层的结晶度非常有限。

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