机构名称：
¥ 3.0
在本文中，我们将研究引起单一事实效应的基本物理机制。反映了它们在商业市场中的相对重要性，我们将专注于硅MOS设备和数字IC。我们的重点仅限于非破坏性单事件效应；在本期的其他地方涵盖了破坏性的搜索。我们首先简要概述了在太空和陆地系统中发现单事件不适的发现。然后，我们将讨论非破坏性的机制和特征，请参见详细的详细信息，特别强调了动态和静态随机访问记忆（DRAM和SRAM）和逻辑中的单事件瞬变（SET）中的单事件不满（SEU）。我们讨论了用于减轻设备，电路和系统级别的单个事件不适的各种技术。接下来，我们审查已证明对获得的建模和仿真方法
在...
主要关键词
相关文件推荐
