机构名称：
¥ 1.0
HFO 2的基于抗抗抗抗抗抗抗抗抗曲线样薄膜正在越来越多地考虑用于商业设备。然而，即使有最初的承诺，电气特性（例如损耗切线和泄漏电流）的温度灵敏度仍未报告。50 nm厚，4个。％al掺杂的HFO 2薄膜是通过原子层沉积合成的，顶部和底部电极均为锡或pt。对它们的电容与温度的研究表明，pt/al：HFO 2/pt的相对介电介电常数为23.30 6 0.06在室温下，电容的温度系数（TCC）为78 6 86 ppm/c，而tin/al a al a al a fimel a tin/a al a a ilect ppm nectient ppm/c相对持续时间均为32. TCC为322 6 41 ppm/c。这两种设备的电容在1至1000 kHz上的电容差于125至125C。两个电容器在0.03均保持损耗切换，泄漏的电流密度为10 9 –10 7 A/cm 2在125至125至125 C中的泄漏密度在125至125 C之间。 0.79 J/cm 3在125至125 C范围内的51.79％6 2.75％的效率下。pt/al：HFO 2/pt电容器还保持稳定的ESD为9.83 6 0.26 J/cm 3，效率为62.87％62.87％6 3.00％，比同一温度范围内。在两个电容器中的这种低损耗及其热稳定性使抗抗纤维样，掺杂的HFO 2薄膜是温度稳定的微电子学的有希望的材料。
查看接受的手稿（DOE）
主要关键词
相关文件推荐
