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就降低电解质的 ASR 而言，通过控制织构化 YSZ 膜中的晶界和孔隙率，可在 500°C 时分别获得 1.04 eV 和 0.02 S/m 的活化能和离子电导率。这些值低于块体材料，据报道块体材料的活化能和离子电导率分别为 1.18 eV 和 0.1 S/m [19]。此外，Si 上的外延 YSZ 膜在 500°C 时显示出 0.79 eV 的活化能和 ~0.003 S/m 的离子电导率，与织构化膜相比，性能进一步提高[20]。使用垂直排列纳米复合材料 (VAN) 系统也实现了电解质性能的显著改善。几种薄膜 VAN 体系 (YSZ、SrZO 3 和 Sm 掺杂的 CeO 2 ) 显示出超过一个数量级的离子电导率 [21-23]，这指向了近期的室温电解质概念 [24]。然而，到目前为止，VAN 薄膜的优异性能仅在单晶基底上得到证实。
高性能微固体氧化物燃料电池的途径......
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