机构名称：
¥ 1.0
氧化镓是一种超宽带隙 (UWBG) 半导体，有望扩展电力电子、日盲紫外光电探测器、气体传感设备和太阳能电池等领域的功能和应用极限。[1,2] 它已成功应用于一些领域，包括荧光粉和电致发光 (EL) 设备、[3] 日盲光电探测器、[4,5] 光催化 [6] 和电力电子。[7,8] Ga 2 O 3 与许多其他多态氧化物体系（如 Al 2 O 3 、In 2 O 3 和 Sb 2 O 3 ）相似，除了热力学稳定的单晶 β 相（C 2/ m）之外，至少还存在四个相。这些相包括菱面体 α -Ga 2 O 3 ( 3 ) R c 、立方 γ -Ga 2 O 3 ( 3 ) Fd m 、正交 ε / κ -Ga 2 O 3 ( Pna 2 1 ) 和立方 δ -Ga 2 O 3 ( 3) Ia 相。需要注意的是，δ 相的存在仍有待讨论，有人认为它可能是由 β 相和 ε / κ 相混合形成的。[9]
解决 γ‐Ga2O3 中的无序问题
主要关键词
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