机构名称：
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摘要：系统研究了 Ru 沉积温度和后退火条件对用于先进 Cu 互连线应用的原子层沉积 (ALD) Ru 扩散阻挡层与 Cu 薄膜界面粘附能的影响。在 225、270 和 310 o C 沉积温度下沉积的样品的初始界面粘附能分别为 8.55、9.37、8.96 J/m 2 ，这与 ALD Ru 沉积温度下 Ru 薄膜的相似微结构和电阻率密切相关。在 200 o C 后退火期间，界面粘附能一直稳定在 7.59 J/m 2 以上的高值，直至 250 h，而在 500 h 后急剧下降到 1.40 J/m 2 。 X射线光电子能谱Cu 2p峰分离分析表明，界面粘附能与界面CuO形成之间存在良好的相关性。因此，ALD Ru似乎是一种有前途的扩散阻挡层候选材料，具有先进的Cu互连的可靠界面可靠性。
经过后续热处理后，Cu 薄膜与 ALD Ru 扩散阻挡层之间的界面……
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