图3:AU@MSIO 2纳米棒上的FDTD模拟。(a)模拟的例证。将带有波形k的p偏振ELD e注射在玻璃盖玻片上的Au@MSIO 2纳米棒上。源角度φ被视为⃗k和ˆ之间的角度。电动ELD在纳米棒的底部进行监测。(b,c)吸收(b)和散射(C)在532 nm处的横截面作为源角度的函数。纳米棒的面向(黑圆圈),如面板(a)或面向s的(绿色三角形)。TIRF的临界角度为61°。(d,e)电气强度| e | 2标准化为事件ELD强度| E 0 | 2在532 nm处,在Au纳米棒的底部监测的源角度为70°。如面板(a)或面向s的(e),纳米棒的定向(d)。