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随着技术的不断发展，由硅制成的传统晶体管使设备变得更小，更强大，正面临着局限性。为了克服这些挑战，正在探索包括FinFET和GNRFET在内的新型晶体管。finfets以3D设计，以改善对电流的控制，非常适合非常小的设备。gnrfets，由石墨烯（非常薄的材料）制成，承诺效率更好，速度更快，并且由于其独特的特性而使用的功率更少。本文通过分析它们在电路中的性能进行比较，专门针对一个称为“完整加法器”的常用电路。我们发现，尽管FinFET非常适合当前需求，但GNRFET提供了更好的能源效率，并且可能是电子产品的未来，尤其是在节省功率很重要的设备中。分析强调了如何将每种类型的晶体管应用于下一代电子产品中，帮助工程师设计更强大和节能的设备。关键字：FinFET，GNRFET，纳米级晶体管，石墨烯Nanoribbons，3D栅极结构，静电控制，短通道效应，高载流子迁移率，低功率操作，半导体技术，小型技术，小型技术，小型化，设备制造，高级CMOS，高级CMOS，下一代电子产品。1。简介
使用完整加法器的研究探索FinFET和GNRFET ...
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