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在GAA中仅引入少数BI或N的原子百分比对材料的带隙有很大影响。特异性BI掺杂的GAA显示了光电应用中本地带隙工程的潜力。由于应变效应，将BI和N掺入GAA中很困难。在这项工作中，我们研究了这些掺杂剂在原子量表上的排序，以便更好地了解宿主晶格中这些掺杂剂的行为。横截面扫描隧道显微镜（X-STM）用于在GAAS矩阵中找到BI和N掺杂剂的确切位置，从而使我们能够研究其最近的邻居对出现和对相关函数。在短范围（1-2 nm）上发现了BI掺杂剂之间的有吸引力的相互作用，并且在N掺杂剂之间观察到了相似的效果。我们发现BI和N掺杂剂之间具有相似长度尺度的排斥相互作用。在BI-N最近的邻居对中发现了类似的排斥。密度功能理论（DFT）用于计算不同的邻居对能量，并将这些结果测试到实验对的情况下。从实验和理论结果得出的结论是，生长条件和n包含会极大地影响GAA中的BI分布。
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