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摘要：对使用NIR-I（700 - 900 nm）和NIR-II（900 - 1700 nm）的光谱，光学通信和医疗应用的近红外（NIR）辐射的兴趣日益增强，这促使人们对新的NIR NIR光源的需求促进了需求。NIR磷光灯转化的发光二极管（PC-LEDS）有望取代传统灯，这主要是由于其高效率和紧凑的设计。由Cr 3+和Cr 4+激活的宽带NIR磷酸盐吸引了重大的研究兴趣，从而在700至1700 nm的范围内发射了。在这项工作中，我们与宽带NIR-I（CR 3+）和NIR-II（CR 4+）发射合成了一系列SC 2（1-x）Ga 2 x O 3：Cr 3+/4+材料（x = 0 - 0.2）。我们通过掺入Ga 3+离子来观察到Cr 3+（约77次）的强度大幅增加。此外，我们的研究表明，CR 3+和Cr 4+离子之间发生了能量转移。配置图显示了SC 2 O 3矩阵中Cr 3+和Cr 4+离子的行为。我们还观察到在20.2 GPA压力下的相变，导致了一个新的未知相，其中Cr 3+发光表现出高对称环境。值得注意的是，本研究介绍了在SC 2（1-x）Ga 2 x O 3中的NIR CR 4+发光的压力诱导的移位：Cr 3+/4+。线性移位在相变之前和之后估计为83±3和61±6 cm -1 /gpa。总的来说，我们的发现阐明了SC 2（1-x）Ga 2 x O 3：Cr 3+/4+材料的合成，发光特性，温度和高压行为。■简介这项研究有助于这些材料在有效的NIR光源和其他光学设备的开发中的理解和潜在应用。
推进近红外光源
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