机构名称：
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摘要 - 用氧气和碳植入的氮化甘露的氮化岩在室温下显示载体介导的自旋机制。使用Tris（环戊二烯基）Gadolinium前体通过金属有机化学蒸气沉积生长的GD掺杂的GAN显示出普通的霍尔效应，并且在室温下没有浪漫主义。在o或c植入GD掺杂的GAN中，观察到表明载体介导的自旋和铁磁性的异常大厅效应。即使在植入后也保持良好的晶体质量。o和c偏爱间质站点，并在GD掺杂的GAN中占据了深层的受体型状态。由GD掺杂的GAN诱导的gadolinium诱导的室温自旋和铁磁性被占据间隙部位的O和C激活。载体介导的自旋功能的机制显示了对控制和操纵自旋作为氮化壳中的量子状态的潜力。这使gagdn：o/c成为室温旋转和量子信息科学应用的潜在半导体材料基础。在本文中，研究了使用离子植入，使用X射线衍射的结构表征在GD掺杂GAN中掺杂，并研究了使用高级HALL效应的自旋相关测量，并进行了相应的讨论。
在室温下用氧碳植入的GD掺杂的GAN中的自旋机制
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