机构名称：
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为了抑制光生的电子和单个光催化剂中孔的重组，一种重要的方法是通过结合两个光催化剂来设计异构。此方法已广泛用于增强复合材料的光催化性能。在开始时，大多数人都使用II型电荷载体传递机制来解释复合半导体的出色活性。虽然II型杂插机制可以说明空间中光所产生的电子和孔的分离，但它面临着巨大的问题和挑战。首先，复合光催化剂的还原能力随着光基电子从高传导带（CB）转移到低CB的转移而降低。同样，复合光催化剂的氧化能力随着孔从较低的价带（VB）转移到较高的Vb而降低。因此，从热力学的角度来看，由于系统的氧化还原能力降低，该电荷载体转移对光催化的降低有害。其次，从动态的角度来看，由于其强的电子电子库仑排斥力，因此不可能将电子从一个光催化剂转移到另一个光催化剂。同样，孔也不可能从低Vb转移到高VB。因此，近年来越来越多的研究表明，II型异质结载体转移机械机械不正确。在2019年，为了解决II型异质结构机制中电荷载体转移机制的问题，首先提出了一种新的步骤方案（S-SCHEME）杂结概念。S-Scheme杂结包含两个不同的半导体光催化剂，即还原光催化剂（RP）和氧化光催化剂（OP）。RP的CB，VB和费米水平高于OP。在RP和OP接触之后，由于RP和OP具有不同的费米水平，RP中的电子将转移到OP，直到其界面处的费米级别相等。该电子转移分别以正电荷和负电荷导致RP和OP。最后，在界面上构建了内置电场，其方向是从RP到OP。在光照射下，电子从两个光催化剂的VB都激发到其CBS。然后，内置的电场驱动了光生电子从OP转移到RP。因此，光生的电子和孔在空间上
光催化剂编辑中的异性结论的特殊主题
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