机构名称：
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摘要：在开发用于低穿透深度电离辐射（例如紫外光子和低能电子（低于 1 keV））的高灵敏度、坚固耐用的探测器的过程中，发现了极浅的非晶硼-晶体硅异质结。多年来，人们一直认为非晶硼在 n 型晶体硅上化学气相沉积形成的结是浅 pn 结，尽管实验结果无法为这一结论提供证据。直到最近，基于量子力学的建模才揭示了这种新结的独特性质和形成机制。在这里，我们回顾了对 aB/c-Si 界面（以下称为“硼硅结”）的起源和理解历史，以及它对微电子工业的重要性，然后是对新结的科学认识。还讨论了未来的发展和可能的研究方向。
