机构名称：
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在本研究中，我们制造了一种 Ta/HfO 2-x /Mo 基单细胞忆阻器，这是一种全球独一无二的配置。研究了基于 HfOx 的忆阻器器件上钽和钼电极的突触行为。使用脉冲激光沉积 (PLD) 方法生长 HfO 2-x (15 nm)，并使用溅射系统和光刻法制造电极。通过 X 射线光电子能谱 (XPS) 确定金属氧化物化学计量。成功获得了长期增强 (LTP) 和成对脉冲促进 (PPF) 特性，它们在人工神经网络的学习过程中发挥着重要作用。进行了电流-电压测量和保持测试，以确定器件在适当范围内的 SET 和 RESET 状态。结果表明，该忆阻器器件是人工神经网络 (ANN) 应用的有力候选者。
利用...开发基于 HfO2-X 的神经忆阻器
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