机构名称：
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对于P通道MOSFET，vinVg + v th其中，v g = gate-wtwoltage v th =阈值电压v out =输出电压v in =输入电压以打开N通道设备，栅极量必须大于输出电压。这将需要额外的偏置电源，以使栅极电压高于输出电压。与此相比，对于P通道设备，最小输入电压必须大于P通道晶体管的阈值电压（通常是这种情况）。从中，P通道MOSFET比N通道MOSFET的优势显而易见。ON/OFF控制器或门驱动器电路更简单。对于低压驱动应用，N通道高侧开关的栅极驱动器需要一个引导电路，该电路在电动机电压轨或隔离电源上方创建栅极电压以将其打开。更大的设计复杂性导致设计工作增加和更大的空间利用。与负载开关应用程序类似，使用P通道MOSFET可以在此处减少资源的使用。ir Hirel具有最大的RAD硬P通道MOSFET的投资组合，具有不同的包装选项，并且在辐射环境中具有高性能。
设计注意事项
主要关键词
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