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摘要。使用扫描隧道显微镜（STM）模板的氢终止硅的掺杂剂前体分子的附着，已用于将电子设备覆盖具有次纳米计精度的电子设备，通常用于量子物理学实验。这个过程，我们称之为原子精度高级制造（APAM），在固体溶解度极限之外掺入硅，并产生电气和光学特性，这些特性也可能对微电子和等离子化的应用也有用。但是，扫描的探针光刻缺少开发更复杂的应用所需的吞吐量。在这里，我们演示并表征了APAM设备工作流程，在该工作流程中，原子层的扫描探针光刻已被光刻所取代。紫外线激光显示出在纳秒时间尺度上氢化所需的温度高于温度的局部和控制的硅，这是一种抗性不足和过度暴露的过程。stm图像表明狭窄的能量密度范围，其中表面既受嘲笑又未受损。对光热加热和随后的氢脱附动力学进行建模表明，在我们的模式过程中达到的sil iCON表面温度超过了温度填充实验中氢去除氢所需的表面温度。与STM相比，发现通过依次的光灭绝区域进行磷的范德Pauw结构，然后将其暴露于磷酸的区域，然后将其暴露于磷酸。©作者。[doi：10.1117/1.jmm.20.1.014901]最后，还证明了可以同时执行的光含量和前体暴露步骤，这是使APAM在超高真空外启用APAM的潜在途径。由SPIE发表在创意共享归因4.0未体育许可下。全部或部分分配或复制此工作需要完全归因于原始出版物，包括其DOI。
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