机构名称：
¥ 1.0
在这项研究中，提出了一种动态交替的门调制（AGM）方案，以通过基于低成本的氧化物（A-GAO X）效果晶体管（FET）光电量基于模式切换来破坏RS困境。AGM方案注入交替的载体，以调节每个检测周期内A-GAO X FET SBPD的增强/耗竭模式。结果，正栅极偏置的积累模式增强了A-GAO X FET SBPD的响应性，而负栅极偏置下的耗尽模式消除了光电流并促进衰减速度。可以通过AGM方案在每个检测周期中同步实现增强的响应性和加速衰减速度，从而破坏了基于GA 2 O 3的光电探测器中典型的RS困境。此外，这种AGM策略可以很容易地扩展到其他波段的光dectors，这些波段与典型的RS困境相比。最重要的是，这种一般的AGM方案可以促进动态成像模拟的对比度和帧速率。
打破A-Gaox的响应速度速度困境...
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