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高阶霍尔效应超出了普通的效果，解锁了电子传输特性和功能的更多可能性。先驱工作的重点是制造具有低晶格对称性的复杂纳米结构以生产它们。在本文中，我们从理论上表明，可以通过弯曲导电纳米膜来产生这种高阶霍尔效应，该纳米膜高度可调，也可以使各向异性呈各向异性。可以通过简单地改变施加的磁场的方向和幅度来调整其HALL响应。主要的霍尔电流频率也可以从零变为两倍，甚至可以更改为四倍的交替电场。这种现象严重取决于与弯曲几何形状引起的有效磁场偶极子和四极管相关的高阶蛇轨道的发生。我们的结果为弯曲导电纳米膜的空间工程磁通频率，当前的直流和频率乘法提供了途径。
通过弯曲的纳米膜中的非线性霍尔效应
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