各种电子封装都在极其恶劣的环境下工作,这需要较长的使用寿命,对微电子界来说是一个重大挑战。200 o C 以上的工作温度加上高压、振动和潜在的腐蚀性环境意味着,在如此高温下工作的电子系统的开发中仍然存在一些技术问题。最近的高温应用技术已经出现,能够承受高达 300 o C 的高温。烧结银是极端环境下芯片粘接的潜在候选材料之一。本研究旨在通过研究烧结银材料,了解硅芯片粘接材料在恶劣环境下性能下降/失效的方式和原因。开发了一种常用于表示微电子封装组件的二维轴对称芯片粘接模型。FE 模型可以很好地理解不同引线框架材料、烧结银和芯片厚度的单一参数变化的影响。烧结银厚度对塑性应变的影响非常小。此外,在芯片方面,硅芯片和烧结银之间的局部热失配是最重要的负载因素。此外,较厚的芯片会在芯片中产生更高的应力。
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