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摘要 在可穿戴植入物领域,CMOS-MEMS 谐振器在传感应用中的使用因其小型化能力而发生了革命性的变化。它们被用作射频范围内振荡器电路中的频率决定元件。感测信号通过集成在结构本身中的前端 TIA 进行放大。由于功耗低,它还提高了所用设备的耐用性。片上 TIA 集成以及 CMOS-MEMS 结构可提供紧凑的电路,还有助于放大传感器电极感测到的弱信号。LDC 的使用有助于将模拟信号转换为数字信号。由于涉及微加工技术,这些 MEMS 结构被用于各种应用,包括医疗保健中的传感器、用于定时的振荡器、用于频率选择的滤波器等。这篇综述对 CMOS-MEMS 谐振器中使用的各种 TIA 拓扑进行了深入了解。它还包括对各种研究工作的比较分析,从而深入了解未来的发展。关键词 1 CMOS-MEMS、前端 TIA、传感器、LDC、放大器、增益带宽

CMOS-MEMS 谐振器中使用的 TIA 拓扑

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