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热电和光电应用M. Ishfaq A，A.Aziz A，S。A. A. Aldaghfag B，S。Noreen C，M。Zahid C，M。物理系，科学学院，努拉·本特·阿卜杜勒拉赫曼大学，P。O。Box 84428, Riyadh 11671, Saudi Arabia c Department of Chemistry, University of Agriculture Faisalabad, Faisalabad 38040, Pakistan Herein, structural, optoelectronic, and thermoelectric characteristics of Ba 2 CaTeO 6 and Ba 2 CaWO 6 oxides double perovskite have been evaluated by first-principles calculations.计算形成和公差因子的焓，以确保相应的结构和热力学稳定性。ba 2 cateo 6和ba 2 cawo 6分别计算出5.87 eV和4.20 eV的MBJ。此外，计算了介电常数（ԑ1（ω）＆ԑ2（ω））和其他相关参数之类的光学参数。使用Boltztrap软件包检查热电（TE）参数。450 K时Ba 2 Ca（TE/W）O 6的ZT值分别为0.76/0.79。BA 2 Cateo 6和Ba 2 Cawo 6双钙钛矿的结果表明，这些材料是基于紫外线的光学和各种TE小工具的潜在竞争者。（2024年5月12日收到； 2024年8月5日）关键字：超速带隙半导体，双钙晶，DFT，热电学，光电子，光电子学1。另一方面，E G大于3.4 eV的半导体被称为Ultrawide BandGap（UWBG）半导体[1-3]。引言具有小于2.3 eV的电子带盖（E G）的传统半导体材料，例如SI，GE和III-V化合物，已成为电子和光子学技术进步的基础。，例如，UWBG半导体GAN已超过了SI在过去15年中第二重要的材料，因为它在固态照明中使用了，这极大地改变了世界的方式使用光源。然而，GAN的高制造成本，加上其孔的不良迁移率和较低的导热率，限制了其对电子工业的全面影响[4]。在这方面，科学家们正在努力开发替代的UWBG材料。最近，双重钙棍（DPS）已成为独立的化合物家族，这些家族表现出从半金属到狭窄的频带到狭窄的频带到超宽带频带半导体的多样性特征，由于它们在理想的立方体（fm3m太空组）latte lattice lattice结构中具有各种阳离子的能力，因此具有多种多样的特性[5-7]。
BA2CATEO6和...
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