简介。新型的光子量子技术依赖于非经典光的集成来源，从而产生了从单光子到明亮场的纠缠状态的范围。光学参数振荡器（OPO）被广泛用于此目的。纳米光子学的发展将这些设备带入了微观领域[1]。如今，它们代表了纠缠光子的可靠来源[2]，是实现综合信息信息协议的基础[3]。在连续变量域中，实现了几个重要的里程碑，例如使用第二（χ（2））[4，5]和三阶（χ（3））非线性[6-11]的片上光学挤压。尤其是硅光子学引起了人们的极大兴趣，因为它们与CMOS（互补的金属 - 氧化物 - 氧化型）制造过程的兼容性，从而使光子和微电源在同一芯片中无缝整合。由其成熟的制造业杠杆作用，低损失波导是局部制造的，导致超高质量因子光学微型洞穴[12]。在这里，我们首次介绍了在片上OPO中产生的完整高斯州的完整量子断层扫描。是针对这些系统中纠缠的观察，在参考文献中进行了理论预测。[13，14]，我们使用谐振辅助