机构名称：
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微纳机电系统 (MEMS/NEMS) 6,7 和高性能晶体管等等。8,9 例如，目前使用的 Fin-FET（三栅极）晶体管结构是从传统的平面设计演变而来的，需要进一步发展到 3D 环栅 (GAA) 结构。10 – 12 使用这种先进的 3D 结构可以实现更高的功能密度、更高的性能和更低的功耗。13,14 通过先进的制造和加工技术在 3D 晶体管方面进行新的研发创新相信会丰富未来的微电子产业。15 – 18 另一个例子是对下一代芯片和密集集成电路 (IC) 的需求，它们需要更广泛地执行更广泛的功能。19 这是特别需要的，超出了目前通过基于单个芯片（片上系统）的简单光刻缩放方法可实现的技术。 20,21 为此，研究人员和工程师正在研究处理 3D 架构中的异构集成的技术，包括 3D IC 封装、3D IC 集成和 3D Si 集成。22,23 3D IC 集成被认为优于 3D IC 封装，因为它允许使用硅通孔 (TSV) 技术和微凸块堆叠更薄的 IC 芯片。这种架构实现了节能技术，
新一代 3D 微电子设备 - RSC 出版
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