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摘要：Memristor是现代微电子的关键设备之一。由于纳米量表和复杂的过程物理学，Memristor国家研究方法的发展面临着经典方法的局限性来观察这些过程。我们提出了一种新的方法，以调查六个Ni /si 3 N 4 /p+Si基于失败的降解。提出的思想的基础是电阻变化曲线的联合分析，其辅助信号注册的伏特板特征。本文认为，高电阻状态的稳定开关区域的存在及其解释为设备发展的稳定状态。使用紧凑的迁移率修改模型和第一个呈现的目标函数模拟稳定区域的伏特 - 安培特性，以解决优化问题。
