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摘要。湿法蚀刻是大规模生产微电子和纳米电子器件的关键制造步骤。然而，当在蚀刻过程中使用腐蚀性极强的酸（如氢氟酸）时，如果器件包含与该酸不兼容的材料，则可能会发生不良损坏。聚酰亚胺薄膜可用作牺牲/结构层来制造独立或柔性器件。聚酰亚胺在微电子中的重要性在于其相对较低的应力和与标准微加工工艺的兼容性。在这项工作中，展示了一种从硅基板上快速剥离 4 µ m 厚聚酰亚胺薄膜的工艺。薄膜的剥离是使用湿基 HF 酸蚀刻剂进行的。具体而言，研究了 HF 浓度对从基板上剥离聚酰亚胺薄膜所需剥离时间的影响。本研究旨在提供有关使用聚酰亚胺薄膜与 HF 的兼容性的信息，这有助于设计和制造基于聚酰亚胺的器件。
聚酰亚胺在氢氟酸中的分层
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