机构名称：
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S. Krobthong A，K。Umma B，T。Rungsawang A，T。Mirian A，S。Wongrerkdee A，*，S。Nilphai c，*，K。Hongsith D，S。S. Choopun D，S。Wongrerkdee E，C.Raktham F，P. p. pimphag g，P。萨恩校园，纳洪病原体73140，泰国b科学系科学与农业技术系，拉贾马加拉科技大学兰纳大学兰纳大学，李·梅斯，泰国C物理学计划，科学技术系，泰国科学和科学系，自由艺术与科学学院，自由艺术和科学材料科学，Roi et Rajabhat University，Roi et roi and roi I Universitiat and roi Intact et 45120科科，朝鲜迈大学，夏安格·梅50200，泰国E工程学院，拉贾曼加拉技术大学，拉纳·塔克（Lanna Tak），塔克（Lanna Tak），塔克（Lanna tak），泰国（TAK 63000），泰国f教育学院，Uttaradit Rajabhat University，Uttaradit Uttaradit Uttaradit 53000，泰国泰国Gibers The thailand thailand thailand thailand thailand ththand thate in thailand ththand phits thit the phits phits thith the金属氧化物半导体的合成由于其在电子，光电子，催化和光伏电场等领域的广泛应用而引起了很大的关注。这项研究介绍了在不同的施加电压下通过两种探针电化学过程在蒸馏水中合成蒸馏水中的铜纳米颗粒（NP）。合成的氧化铜NP表现出从光到深棕色的色谱，表明蒸馏水中氧化铜的形成。利用tyndall效应的初步观察和红色激光证实了溶液的胶体性质。氧化铜增强了这些应用的效率，准确性，耐用性和响应时间。光致发光排放突出了合成氧化铜NP的半导体特性。氧化铜NP在较低的施加电压下表现出很小的量子点（QD），而较高的电压产生的尺寸较大。戒指样图案的出现表明了多晶结构，通过选定的区域电子衍射分析进一步证实了多晶的结构，从而证实了在低压下Cu 2 O的结晶结构，在较高的电压下证实了CUO。因此，这项研究证明了使用两种探针电化学过程合成氧化铜的直接方法，并通过调节施加的电压来产生QD和NP结构。（2024年10月14日收到； 2025年1月8日接受）关键词：氧化铜，电化学过程，纳米颗粒，量子点1.引入具有显着导电性能的金属氧化物半导体（MOS）已被广泛研究用于不同的应用。氧化铜是一种特别有趣的MOS，通常在各种领域中使用，包括传感器，催化剂，导电材料，水纯化系统，能源储能，抗菌剂和光伏电源[1]。但是，传统制备的氧化铜的粒径相对较大，在控制特定特性方面面临着挑战。减少纳米结构材料的大小为
Cu2O和Cuo的合成和表征...
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