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对高速数据传输的迫切需求加上纳米技术节点的发展，正推动通信标准（如 5G）向毫米波频段发展。毫米波频段的使用还涉及汽车雷达、成像或医疗应用。在更高的频段，用户可以受益于更宽的带宽，从而可以获得所需的数据速率或雷达分辨率的提升。另一方面，消费类应用需要低成本的解决方案，例如 CMOS 或 BiCMOS 技术提供的解决方案。然而，虽然 BiCMOS 技术中晶体管的工作频率 (𝑓)/𝑓 *+,) 高于 400 GHz 以满足毫米波应用 [1]，但这些技术中无源可调元件的种类仅限于少数几种变容二极管或开关电感器。可调元件可用于执行必要的射频功能，例如 VCO 调谐 [2]、相移控制，尤其是构建波束控制系统以补偿自由空间中路径损耗的增加 [3]，或用于校准目的 [4] 等。可调设备的性能可通过调谐范围和品质因数来量化
1-325 GHz 频段高度可调高 Q 值反转模式 MOS 变容二极管
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