本文介绍了一种新型超大面积集成电路 (ELAIC) 解决方案(我们称之为“巨型芯片”),适用于将不同类型的多个芯片(例如,内存、专用集成电路 [ASIC]、中央处理器 [CPU]、图形处理单元 [GPU]、电源调节)组合到通用互连平台上的单个封装中。巨型芯片方法有助于重新构建异构芯片平铺,以开发具有所需电路密度和性能的高度复杂系统。本文重点介绍了最近关于大面积超导集成电路连接多个单独芯片的研究,特别关注了在单个芯片之间形成的高密度电互连的处理。我们重新制造了各种巨型芯片组件,并使用多种技术(例如扫描电子显微镜 (SEM)、光学显微镜、共聚焦显微镜、X 射线)对其进行了表征,以研究集成质量、最小特征尺寸、硅含量、芯片间间距和间隙填充。二氧化硅、苯并环丁烯 (BCB)、环氧树脂、聚酰亚胺和硅基电介质用于间隙填充、通孔形成和重分布层 (RDL)。对于巨型芯片方法,通过减少芯片间 (D2D) 间隙和增加硅含量来提高热稳定性,从而使组装人员能够缓解不同基板/模块集成方案的热膨胀系数 (CTE) 不匹配的问题,这对于实现从回流到室温甚至低温操作的宽温度范围稳定性非常重要。 Megachip 技术有助于实现更节省空间的设计,并可容纳大多数异构芯片,而不会影响稳定性或引入 CTE 不匹配或翘曲。各种异构芯片
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