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随着行业向超摩尔时代迈进，下一代封装技术也朝着高密度芯片或芯片分割封装集成方向发展。尤其是对于高性能计算应用，先进封装技术通过硅或有机中介层集成多个芯片芯片，从而提供经济效益。有机中介层是芯片到芯片互连的替代接口之一。FO-MCM 以同质封装集成概念应用于芯片集成和 ASIC 到 Serdes 芯片集成而闻名。由于人工智能计算和 HPC 市场增长的推动，将封装的 HBM 集成到封装模块中作为异构集成封装 (HIP) 的趋势已经形成。近年来，两种平台（以硅中介层为基础的 2.5D 和以部分桥接芯片为互连介质的 FO-EB）已投放市场。还讨论了采用纯有机中介层的 FO-MCM 应用于异构集成领域的可行性。全有机中介层可以为 HPC 产品提供多个 RDL 层和线路/空间的灵活设计。本研究旨在解决采用纯有机中介层的 FO-MCM 平台实现集成 HBM 的异质封装。FO-MCM 中的芯片最后方法具有控制 RDL 质量和采用“已知良好的 RDL”以节省顶层芯片成本的优势。扇出型 RDL 配置为 4 层，最小 L/S 为 2/2um。在验证过程中，基于模拟分析，通过材料和底部填充选择优化了翘曲和应力。组装结果表明，翘曲和可靠性验证通过了 MSL4、TCT700x、uHAST96 和 HTST1000hrs 条件。关键词 扇出型 MCM；芯片最后；异质集成；芯片分区；高性能计算；HBM
高性能计算应用中带 HBM 的 FO-MCM 组装技术
主要关键词
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