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硅环谐振器调制器（RRMS）具有减少足迹和功耗并增加波长多路复用（WDM）发射器的调制速度的巨大潜力。但是，RRM的光学特性对制造变化高度敏感，这使它们在设计量生产或大量WDM通道方面具有挑战性。在这项工作中，我们提供了一种RRM设计，该设计经过专门设计和实验验证，以降低对制造变化的敏感性。这包括对抗性过度和不足的暴露（±30 nm横向偏差）的敏感性分析以及耦合部分内蚀刻深度变化（±10 nm深度变化）的敏感性分析。对于我们的设计，偏离目标耦合强度的偏差将两倍提高。使用标准的CMOS兼容过程在Soi晶圆上制造了提议的设备。我们演示了以上灭绝比以上的RRM，OMA更好，即-7 dB（2 V pp）和29 GHz的电光带宽，仅在32 GB/s下显示仅受我们的测量设置的开放式眼睛图。测得的耦合系数与模拟值非常吻合。此外，我们应用了相同的设计修改来实现低掺杂的RRM和基于环的添加 - 滴滴 - 磁材（OADMS）。模拟和测量的耦合系数之间的一致性（我们确定为设备性能可变性的主要来源），进一步证实了我们的设计修改的有效性。这些结果表明，可以利用所提出的设计，以大规模地，尤其是在WDM系统中的大规模制造基于谐振的设备。
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