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边缘表现出独特的电子特性，具体取决于其翻译矢量（n，m）所描述的边缘配置。12，13近年来，已经合成了一系列具有各种宽度和边缘拓扑结构的GNR，用于基础研究和随后的设备集成。自上而下的方法，包括石墨烯9、14的光刻图案以及碳纳米管的解压缩，15种通常提供缺陷和不确定的边缘结构。与自上而下的方法相比，GNR的自下而上的合成，采用了基于溶液的16和表面辅助方案，17似乎是实现具有统一宽度和定义边缘结构的GNR的强大工具。但是，从溶液中自下而上合成的GNR的沉积是具有挑战性的，并且通常会导致无定形膜。8，16，18地下合成是为设备应用制造高质量GNR组件的一种有前途的方法，尽管仍然需要这些GNR从金属底物转移。通过设计合理的分子单体并利用金属表面的催化性，具有定义结构的GNR可以在大面积上生长。7，8，17迄今为止，大多数原子上精确的GNR已在特定的金属表面上合成，例如Au，17 Ag，19和Cu 20在Ultrahigh真空（UHV）中。然而，UHV合成取决于精致且昂贵的设备，这限制了高质量的GNR的大规模生产。
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