机构名称：
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电子设备的尺寸正在接近原子大小，这迫使人们制定新的指导方针来应对 22 纳米以下设计的挑战。随着芯片制造深入纳米领域，工艺变异缓解和辐射硬度成为相关的可靠性要求。受工艺变异影响的集成电路可能无法满足某些性能或功率标准，从而导致参数产量损失并需要重新设计几个步骤 [1]。传统上，软错误 (SE) 是由来自太空或地面辐射的高能粒子与硅之间的相互作用引起的 [2]。然而，技术缩放引入了电荷共享现象和脉冲猝灭 [3]。此外，工艺变异会改变线性能量传输 (LET)，从而引发软错误。其后果是暂时的数据丢失，甚至在地面层面也会导致系统行为出现严重故障。
采用施密特触发器进行电路设计以提高可靠性
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