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图1。激光驱动的相位分离在SI底物上的无定形硅阵线（A-SI 0.4 GE 0.6）纳米级薄膜。a）sige薄膜中相位分离后激光写作和组成重新分布的示意图。b）两个激光加工的7 µm宽的多晶sige（多形晶体）的光图像以扫描速度1和10 mm s -1（标记为10 mm s -1），显示了富含GE的带状核心和富含Sii的较不固定区域。自然色对比度的差异揭示了依赖扫描速度的GE重新分布。c）3 µm宽的激光写的微纹条的光学图像，根据表面上的GE组成，从蓝色到黄色的天然色调。d）激光书面微带的SEM显微照片，在激光处理后显示样品表面的地形特征。e）后冰片的电子检测器（BSED）显微照片显示了富含GE（明亮）和富含Si的（深色）区域之间的材料对比度。f）以0.1 mm s -1的扫描速度编写的激光写的微条的放大SEM和g）bsed显微照片。h -l）与上述相同，但为10 mm s -1（h，i）和50 mm s -1（k，l）。
激光驱动的相位分离和...
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