摘要 — 电迁移 (EM) 一直被认为是后端互连的可靠性威胁因素。自旋转移力矩磁性 RAM (STT-MRAM) 是一种新兴的非易失性存储器，近年来备受关注。然而，相对较大的工作电流幅度是这项技术的一大挑战，因此，EM 可能是一个潜在的可靠性问题，即使对于这种存储器的信号线也是如此。工作负载感知的 EM 建模需要捕获存储器信号线中随时间变化的电流密度，并能够预测 EM 现象对互连整个生命周期的影响。在这项工作中，我们提出了一些方法，可以在各种实际工作负载下有效地模拟典型 STT-MRAM 阵列中与工作负载相关的 EM 引起的平均故障时间 (MTTF)。这允许执行设计空间探索以共同优化可靠性和其他设计指标。