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摘要：已经研究了非易失性存储器电阻随机记忆（RERAM）的未来应用。reram由于其简单的结构，低压，快速切换速率，高密度堆积以及易于集成到CMOS处理中，引起了很大的兴趣。已被证明是过渡金属氧化物。由于其Fab-Frignstriments和10的介电常数为10，ZnO是几种最有前途的材料之一。AW（Electerode）/ZnO/ITO是在这项研究中使用多人模拟软件在这项研究中构建和模拟的。重新拉氏素的设计均具有对称和不对称的金属连接。研究了各种设备的当前伏特型热性能以及基础过程。也进行了AFM，SEM和RBS的分析。在ON状态期间，确实注意到，导热率较低的金属损失较小，从而产生高温。在W（Electrode）/ZnO/ITO设备中实现了通过压力接触测量的W（Electrode）/ZnO/ITO设备。也获得了1.3x10 5的电阻率，以出色的内存窗口性能证明了设备的弹性。因此，开发了系统并将其与模拟设备进行比较。
实验和仿真研究：RRAM中的切换
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