机构名称：
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提出了一种采用 180 nm CMOS 工艺的上变频混频器。本研究详细阐述了几种混频器的类型、混频器的性能参数、混频器的拓扑结构以及提高混频器性能的设计技术。主要目的是提高增益、增加线性度和噪声系数。有四种金属层可供设计。对以前发表的研究进行了比较，并提出了低功耗混频器的最佳拓扑结构。关键词：混频器，噪声系数，变频增益，CMOS 1. 简介超宽带 (UWB) 系统是无线通信的主要技术之一。混频器是将 RF 信号转换为基带信号的关键。混频器是 RF 通信系统中最重要的元件之一。当两个不同的输入频率插入另外两个端口时，它被设计为在单个输出端口产生和频和差频。插入两个输入端口的两个信号通常是本振信号和输入（对于接收器）或输出（对于发射器）信号。要产生新频率（或新频率），需要非线性设备。射频混频器本质上是一种将信号从一个频率移到另一个频率的设备。混频器产生输入频率、LO 频率及其互调产物的谐波。这些谐波增加了混频器的非线性。设计混频器的基本目标是抑制谐波。理想的混频器是一个乘法器电路。理想的混频器将一个载波频率周围的调制转换到另一个载波频率。由于混频器是一种非线性设备，因此它无法执行频率转换。
采用CMOS技术设计吉尔伯特单元混频器
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